端点星日志
TCC 与 SOCS：部分相干成像的低秩表示及全芯片计算
从 Abbe 的源点积分推导 TCC 的 Gram 结构、SOCS 低秩分解与误差界，再分析 FFT、采样、halo、伴随梯度及三维掩模下的适用边界。
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光刻模型的物理近似与参数校准
分析 Abbe、Hopkins 与 SOCS 的物理假设，区分数值收敛、模型近似、参数校准及独立预测验证。
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水平集逆光刻：形状导数、界面演化与制造约束
从符号距离、形状导数与 Hamilton–Jacobi 方程出发，推导 Level Set 掩模优化，解释拓扑、步长、重初始化、制造约束和全芯片验证的边界。
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曲线掩模的表示、制造与精度控制
从曲线几何与嵌套逆问题出发，系统分析 ILT、多束写入、MRC、MPC、格式公差、EUV 三维效应及轮廓签核。
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计算光刻模型的建立：实验设计、参数辨识与验证
分析计算光刻模型的实验设计、分层校准、参数可辨识性与独立验证，以及设备和工艺变更后的适用域管理。
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OPC、ILT 与 SMO 的变量、约束及求解范围
以统一前向模型比较 OPC、ILT 和 SMO 的变量、参数化、目标函数、制造约束及验证范围。