按分类浏览文章。
光学成像
TCC 与 SOCS：部分相干成像的低秩表示及全芯片计算
从 Abbe 的源点积分推导 TCC 的 Gram 结构、SOCS 低秩分解与误差界，再分析 FFT、采样、halo、伴随梯度及三维掩模下的适用边界。
部分相干成像与照明角谱
从互相干性与 Abbe 源点求和出发，推导离轴照明的频谱移位、双光束成像、Hopkins TCC 与 SMO 的约束及局限。
光刻成像的空间频率响应
区分相干场传递函数、非相干强度 OTF 与部分相干模型，推导截止频率、衍射级次和带宽受限反设计的边界。
建模与校准
光刻模型的物理近似与参数校准
分析 Abbe、Hopkins 与 SOCS 的物理假设，区分数值收敛、模型近似、参数校准及独立预测验证。
计算光刻模型的建立：实验设计、参数辨识与验证
分析计算光刻模型的实验设计、分层校准、参数可辨识性与独立验证，以及设备和工艺变更后的适用域管理。
从掩模到晶圆：光刻前向模型与误差传播
沿掩模散射、投影、光刻胶、显影和刻蚀建立前向链，推导 NILS、MEEF 与误差传播，再检查共同工艺窗口和随机失效。
空中像与边缘敏感度：阈值模型、NILS 和工艺窗口
明确空中像与胶内像的区别，用阈值等值线推导边缘位移和 NILS，再连接剂量、离焦、胶化学及随机缺陷。
掩模工艺
曲线掩模的表示、制造与精度控制
从曲线几何与嵌套逆问题出发，系统分析 ILT、多束写入、MRC、MPC、格式公差、EUV 三维效应及轮廓签核。
计算光刻
水平集逆光刻：形状导数、界面演化与制造约束
从符号距离、形状导数与 Hamilton–Jacobi 方程出发，推导 Level Set 掩模优化，解释拓扑、步长、重初始化、制造约束和全芯片验证的边界。
OPC、ILT 与 SMO 的变量、约束及求解范围
以统一前向模型比较 OPC、ILT 和 SMO 的变量、参数化、目标函数、制造约束及验证范围。
源—掩模协同优化：目标函数、算法与工程约束
从部分相干成像、源点梯度与双层优化，到共同工艺窗口、全芯片覆盖和 EUV 三维效应，系统理解源—掩模协同设计。
计算光刻的反问题：成像带宽、邻近效应与工艺窗口
从 Rayleigh 缩放、衍射级次与光刻胶轮廓出发，解释 OPC、ILT 和 SMO 求解的对象、约束、模型误差以及工艺窗口。
逆光刻技术的演进：算法、全芯片计算与掩模制造
综述逆掩模设计、连续松弛、水平集和全芯片计算的发展，分析算法、工艺窗口与掩模制造的耦合约束。
OPC 的掩模表示：边段、像素与隐式边界
比较边段、像素、水平集与显式曲线的掩模表示，分析灵敏度、梯度计算、非凸性及全芯片制造验证。
暂时没有这个分类的文章。浏览全部分类与标签
← 全部分类与标签